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服務(wù)器內(nèi)存技術(shù):FB-DIMM

發(fā)布時(shí)間:2012-05-15 作者:admin

簡述:FB-DIMM(FullyBuffered-DIMM,全緩沖內(nèi)存模組)是Intel在DDR2的基礎(chǔ)上發(fā)展出來的一種新型內(nèi)存模組與互聯(lián)架構(gòu),既可以搭配現(xiàn)在的DDR2內(nèi)存芯片,也可以搭配未來的DDR3內(nèi)存

FB-DIMM(Fully Buffered-DIMM,全緩沖內(nèi)存模組)是Intel在DDR2的基礎(chǔ)上發(fā)展出來的一種新型內(nèi)存模組與互聯(lián)架構(gòu),既可以搭配現(xiàn)在的DDR2內(nèi)存芯片,也可以搭配未來的DDR3內(nèi)存芯片(已被取消)。FB-DIMM可以極大地提升系統(tǒng)內(nèi)存帶寬并且極大地增加內(nèi)存最大容量。

FB-DIMM技術(shù)是Intel為了解決內(nèi)存性能對(duì)系統(tǒng)整體性能的制約而發(fā)展出來的,在現(xiàn)有技術(shù)基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)了跨越式的性能提升,同時(shí)成本也相對(duì)低廉。在整個(gè)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中,內(nèi)存可謂是決定整機(jī)性能的關(guān)鍵因素,光有快的CPU,沒有好的內(nèi)存系統(tǒng)與之配合,CPU性能再優(yōu)秀也無從發(fā)揮。因?yàn)镃PU運(yùn)算時(shí)所需的數(shù)據(jù)都是從內(nèi)存中獲取,如果內(nèi)存系統(tǒng)無法及時(shí)給CPU供應(yīng)數(shù)據(jù),CPU不得不處在一種等待狀態(tài),形成資源閑置,性能自然無從發(fā)揮。

對(duì)于普通的個(gè)人電腦來說,由于是單處理器系統(tǒng),目前的內(nèi)存帶寬已經(jīng)能滿足其性能需求;而對(duì)于多路的服務(wù)器來說,由于是多處理器系統(tǒng),其對(duì)內(nèi)存帶寬和內(nèi)存容量是極度渴求的,傳統(tǒng)的內(nèi)存技術(shù)已經(jīng)無法滿足其需求了。這是因?yàn)槟壳暗钠胀―IMM采用的是一種“短線連接”(Stub-bus)的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),這種結(jié)構(gòu)中,每個(gè)芯片與內(nèi)存控制器的數(shù)據(jù)總線都有一個(gè)短小的線路相連,這樣會(huì)造成電阻抗的不繼續(xù)性,從而影響信號(hào)的穩(wěn)定與完整,頻率越高或芯片數(shù)據(jù)越多,影響也就越大。雖然Rambus公司所推出的的XDR內(nèi)存等新型內(nèi)存技術(shù)具有極高的性能,但是卻存在著成本太高的問題,從而使其得不到普及。而FB-DIMM技術(shù)的出現(xiàn)就較好的解決了這個(gè)問題,既能提供更大的內(nèi)存容量和較理想的內(nèi)存帶寬,也能保持相對(duì)低廉的成本。FB-DIMM與XDR相比較,雖然性能不及全新架構(gòu)的XDR,但成本卻比XDR要低廉得多。   

與現(xiàn)有的普通DDR2內(nèi)存相比,F(xiàn)B-DIMM技術(shù)具有極大的優(yōu)勢:在內(nèi)存頻率相同的情況下能提供四倍于普通內(nèi)存的帶寬,并且能支持的最大內(nèi)存容量也達(dá)到了普通內(nèi)存的24倍,系統(tǒng)最大能支持192GB內(nèi)存。FB-DIMM最大的特點(diǎn)就是采用已有的DDR2內(nèi)存芯片(以后還將采用DDR3內(nèi)存芯片),但它借助內(nèi)存PCB上的一個(gè)緩沖芯片AMB(Advanced Memory Buffer,高級(jí)內(nèi)存緩沖)將并行數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為串行數(shù)據(jù)流,并經(jīng)由類似PCI Express的點(diǎn)對(duì)點(diǎn)高速串行總線將數(shù)據(jù)傳輸給處理器。   

與普通的DIMM模塊技術(shù)相比,F(xiàn)B-DIMM與內(nèi)存控制器之間的數(shù)據(jù)與命令傳輸不再是傳統(tǒng)設(shè)計(jì)的并行線路,而采用了類似于PCI-Express的串行接口多路并聯(lián)的設(shè)計(jì),以串行的方式進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸。在這種新型架構(gòu)中,每個(gè)DIMM上的緩沖區(qū)是互相串聯(lián)的,之間是點(diǎn)對(duì)點(diǎn)的連接方式,數(shù)據(jù)會(huì)在經(jīng)過第一個(gè)緩沖區(qū)后傳向下一個(gè)緩沖區(qū),這樣,第一個(gè)緩沖區(qū)和內(nèi)存控制器之間的連接阻抗就能始終保持穩(wěn)定,從而有助于容量與頻率的提升。

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